평판형 에싱시스템

에싱(Ashing) 시스템에 사용 되는 방식은 크게 원통형과 평판형으로 구분 할 수 있다.

원통형과 마찬가지로 ICP 소스를 많이 사용한다.

다만, 원통형과는 달리 낱장 공정에 적합하며, 대면적 샘플에 적합하다.

보통 소스 코일과 척 전극에 각각 파워가 연결되며, 이종의 주파수를 많이 사용한다.

주파수별로 크게, LF, MF, RF, VHF로 구분한다.

각각의 영역은 다음과 같다.

LF : 40~800KHz(400KHz 많이 사용)

MF : 1~3MHz (2MHz, 4MHz를 사용하는 경우도 있다.)

RF : 13.56~40MHz(주로 13.56, 1256MHz를 사용하는 경우도 있다.)

VHF : 40MHz 이상

에싱 시스템의 경우 식각 공정 장비만큼 심각한 플라즈마 손상을 발생하지는 않지만, 이온 충격은 있을 수 있다. 이것을 해결 하기 위해 최근에는 다운스트림 방식의 플라즈마를 이용한 에싱(Remote Plasma Source)에 주목하고 있다.

주로 사용하는 가스는 아르곤, 산소이다.

산소 플라즈마에서 만들어지는 산소 라티칼을 이용하는 등방성 에칭이라고 생각해야 한다.