반응성 이온 에칭(RIE) 플라즈마 공정에서 DC self bias 전압은 중요한 제어 변수입니다. 특정 애플리케이션에 따라 프로세스 엔지니어는 원하는 효과를 얻기위해 이 매개변수를 참고하여 조건을 조작할 수 있습니다. 일반적으로 DC self bias가 높을수록 이온 에칭의 속도가 높아집니다. RF 전기장이 진공 챔버에 가해지면 전자는 전기장에 의해 앞뒤로 움직이면서 RF 주기의 절반마다 교대로 전원이 공급되는 전극에 충돌 하게 됩니다. 일반적으로 매칭 네트워크에서 사용할 수 있는 차단 커패시터는 RF AC 필드에 대한 도체 역할을 하지만 자체 유도 DC 필드에 대한 절연체 역할도 합니다. 전원이 공급된 전극에 전자가 충돌하면 AC 필드 외에도 음의 DC 필드가 형성될 수 있습니다. 이 음전위가 DC ..

스퍼터와 같은 증착 시스템에서 바이어스 파워를 섭스트레이트에 걸어주는 경우가 있다. 바이어스 파워를 이용하여 Ar 양이온을 기판에 충돌시키는 것인데, 표면에 존재하는 불순물 등을 제거하기 위함이다. 산소를 첨가하여 유기물 제거 효과를 기대하기 한다. 증착을 하면서 바이어스를 걸어주는 경우에는 음이온과 전자들이 섭스트레이에 충돌하는 것을 막아주는 효과를 기대해 볼 수 있다. 특히 챔버내에 존재하는 산소 음이온이 섭스트이트에서 밀려 나가므로 박막내에 들어가는 산소의 양을 감소시키는 효과가 있다. 그러므로, 산화되기 쉬운 원소의 스퍼터링에서 효과를 기대해 볼 수 있다. 이때 사용하는 RF 파워의 DC 바이어스 전압은 -100V~-200V 정도로 해주어, 타켓에 걸리는 전압보다 낮은 전압을 일정하게 유지 시켜 ..