RIE 플라즈마 에칭 시스템에서 DC Self Bias 전압의 중요성 참고

반응성 이온 에칭(RIE) 플라즈마 공정에서 DC self bias 전압은 중요한 제어 변수입니다. 특정 애플리케이션에 따라 프로세스 엔지니어는 원하는 효과를 얻기위해 이 매개변수를 참고하여 조건을 조작할 수 있습니다. 일반적으로 DC self bias가 높을수록 이온 에칭의 속도가 높아집니다. RF 전기장이 진공 챔버에 가해지면 전자는 전기장에 의해 앞뒤로 움직이면서 RF 주기의 절반마다 교대로 전원이 공급되는 전극에 충돌 하게 됩니다. 일반적으로 매칭 네트워크에서 사용할 수 있는 차단 커패시터는 RF AC 필드에 대한 도체 역할을 하지만 자체 유도 DC 필드에 대한 절연체 역할도 합니다. 전원이 공급된 전극에 전자가 충돌하면 AC 필드 외에도 음의 DC 필드가 형성될 수 있습니다. 이 음전위가 DC ..

2024.04.12