섭스트레이트에 BIAS 파워를 걸어주면

 스퍼터와 같은 증착 시스템에서 바이어스 파워를 섭스트레이트에 걸어주는 경우가 있다. 바이어스 파워를 이용하여 Ar 양이온을 기판에 충돌시키는 것인데, 표면에 존재하는 불순물 등을 제거하기 위함이다. 산소를 첨가하여 유기물 제거 효과를 기대하기 한다.

  증착을 하면서 바이어스를 걸어주는 경우에는 음이온과 전자들이 섭스트레이에 충돌하는 것을 막아주는 효과를 기대해 볼 수 있다. 특히 챔버내에 존재하는 산소 음이온이 섭스트이트에서 밀려 나가므로 박막내에 들어가는 산소의 양을 감소시키는 효과가 있다. 그러므로, 산화되기 쉬운 원소의 스퍼터링에서 효과를 기대해 볼 수 있다.

 이때 사용하는 RF 파워의 DC 바이어스 전압은 -100V~-200V 정도로 해주어, 타켓에 걸리는 전압보다 낮은 전압을 일정하게 유지 시켜 주는 것이 좋다.

 옳바르게 DC 바이어스 전압을 컨트롤하기 위해서는 타겟과 섭스트레이트에 걸리는 DC 바이어스 전압을 비교해 보아야 한다.

 RF파워의 전압을 보면,

아웃풋 임피던스는 보통 50옴이나 75옴으로 고정되어 있다.

Vrms 값은 

RF파워에서는 전자가 이동하는 시간이 극성 전환 시간보다 길면, 플라즈마안에 전자는 머물러 있게 되어있다.  

참고 사이트

https://m.blog.naver.com/lee_jinhwan/50177115570

RF generator