참고자료1 http://kjmm.org/journal/Figure.php?xn=kjmm-2020-58-3-207.xml&id= 1. 서 론 KJMM Korean Journal of Metals and Materials Korean J. Met. Mater. 1738-8228 2288-8241 The Korean Institute of Metals and Materials 10.3365/KJMM.2020.58.3.207 kjmm-2020-58-3-207 Research Paper 나노인덴테이션 방법으로 크롬 박막의 고유경도 kjmm.org KJMM Korean Journal of Metals and Materials Korean J. Met. Mater. 1738-8228 2288-8241 The Kore..

스퍼터링에서 세라믹 타겟이 깨지는 이유는 몇가지가 있습니다. 1. 최대 전력 밀도 적용 할 수 잇는 파워의 양은 물질, 재료 마다 다릅니다. 가장 일반적인 재료에 관한 권장 파워 또는 최대 전력밀도를 확인 하고 범위안에서 사용하는 것이 좋습니다. 2. 램핑 파워 일부 재료는 느린 전력 변화가 필요합니다. 급격한 파워 변화로 인한 스트레스는 재료의 파손을 초래하게 됩니다. 일부 물질, 재료는 램핑 과정이 필요합니다. 일반 적인 램핑은 다음과 같습니다. 초기 방전 압력을 5.0E-2 Torr 정도에서 시작합니다. 플라즈마가 안정적으로 유지되는 공정압력으로 감압합니다. 압력이 내려가면서 증착 속도가 증가합니다. 방전으로 플라즈마를 안정화 시키면서 파워를 분당 20W 이하로 증가 시킵니다. 최대 허용 전력 밀도..

스퍼터 타겟을 본딩하는데 적당한 물질로는 인듐이 있다. 인듐은 정방정계결정구조를 갖고 있는 물질이다. 평면에서 쌍을 이루거나 미끄러질 수 있다. 이것은 인듐이 Z 또는 수평 방향으로 분리되지 않고 측면으로 이동 할 수 있는 특징이 있음을 의미한다. 이러한 물리적 특성은 두가지 서로 다른 물질을 부착 시켰을 때, 개별 팽창 계수를 기준으로 부착면에서 서로 다른 팽창 및 수축을 할 수 있다는 것을 의미하기도 한다. 이러한 특징은 재료에 높은 응력이나 변형을 유발하지 않기 때문에 부착되어 있는 물질의 파손, 균열, 변형을 방지 할 수 있는 것이다. 스퍼터의 구조상 백플레이트 냉각 면과 증착 타겟의 표면이 플라즈마의 에너지로 인해 스트레스 받는 것을 생각한다면, 이러한 인듐의 특성은 아주 유용한 것이다. 그리고..

스퍼터 시스템에서 ITO 박막 스퍼터링을 하는 중간에 아크가 발생하고, 플라즈마 유지가 안되는 경우가 있다. 아크는 주로 타겟 중앙 부분에 원형으로 회전하면서 발생하는 경우가 많이 관찰 된다. 일반 세라믹 스퍼터링에서는 처음 방전이 되고 나면, 공정 조건 변화가 없이 이런 현상이 발생하지 않는 것이 일반적이다. 그러나, ITO 박막 증착에서는 공정 환경에 변화가 없음에도 타겟 자체의 특성으로 이러한 문제가 발생 할 수 있다. ITO 박막은 보통 In2O3 90, SnO2 10 W% 정도의 함유량을 가지고 있다. 적절한 ITO 박막을 얻기 위해서는 플라즈마 방전에 사용되는 아르곤 가스와 타겟의 특성을 유지하기 위한 적절한 산소분압을 유지해 주어야 한다. 플라즈마 내의 산소 분압은 자유행정거리(mean fr..

스퍼터 방식으로 증착된 구리 박막은 실제 반도체 공정에서 매우 중요한 부분을 차지한다. 스퍼터 방식은 대면적 제조 설비로서의 장점도 있다. 클러스터 챔버나 인라인 방식 등을 이용하여 한번에 쭉 공정을 이어나갈 수 있는 것이다. 이러한 스퍼터 방식의 구리 박막 제조에서 여러가지 문제가 발생 할 수 있지만, 가장 많이 발생하는 것중에 하나가 접착력이다. 접착력을 개선하기 위한 방법으로 여러가지가 적용되는데, 특히 프리 크리닝 방법과 공정 후 어닐링 적용은 효과가 좋은 편이다. 하지만 박막을 증착하면서 가장 중요한 것은 막자체의 접착력을 강화하는 방법이다. ******************************************* 구리 뿐만 아니라 알루미늄 박막에서도 마찬가지인데, 최대한 증착 속도를 빠르..